Die Anwendung der CWDM-Technologie in Telekommunikationsnetzen ist sehr ausgereift. Die Internationale Fernmeldeunion definiert 18 CWDM-Kanäle mit einem Intervall von 20 nm im Band 1271-1611 nm. Der CWDM4-Standard in der Datenkommunikation verwendet vier Wellenlängen, nämlich 1271-1331 nm, die nahe am Nulldispersionspunkt der G652-Singlemode-Faser liegen. Data Center 100G Optisches Transceiver-Modul, die aktuelle Mainstream-Gehäuseform ist QSFP28, integrierter 4-Halbleiter-Laser, optisches Detektor-Array und seine Treiberschaltung sowie passive CWDM4-Komponenten. Um die CWDM4-Komponente in das QSFP28-Modul zu integrieren, ist es notwendig, das Design so klein wie möglich zu machen, und die Größenanforderung ist strenger als das CCWDM-Modul (ein kompaktes CWDM-Modul) in der Telekommunikationsanwendung.
Artikel | Zustands-/Messmethode | Symbol | Einheit | Art | |
| Mux | Demux | ||||
Kanal | CH | 4 | |||
Abstand | Spc | Nm | 20 | ||
CWL | 25°C@3dB Zentrum | λC | Nm | CH1:1271 | |
| CH2:1291 | |||||
| CH3:1311 | |||||
| CH4:1331 | |||||
CWL-Genauigkeit | 25°C@3dB Zentrum | △λC | Nm | ±1 | |
1dB Bandbreite | BW1dB | Nm | ≥12 | ≥12 | |
3dB Bandbreite | BW3dB | Nm | ≥15 | ≥15 | |
Kanal Unifomity | Alle Kanäle ILmax-ILmin | Einheit 1 | Db | ≤0,7 | |
Chip-Unifomity | Alle Chips ILmax-ILmin | Einheit 2 | Db | ≤2 | / |
Einfügedämpfung | @Passband±5nm;Inklusive PDL und Faserkopplung | IL | Db | 2 ~ 3,5 | ≤2,5 |
Polarisationsabhängiger Verlust | Passband±1nm | PDL | Db | ≤0,5 | |
Kräuseln | Passband±5nm | R | Db | ≤1,0 | |
Verlust der Rendite | RL | Db | ≥40 | ||
Isolation (benachbart) | Passband±6.5nm | ISO | Db | / | ≥20 |
Isolation (nicht benachbart) | Passband±6.5nm | ISO | Db | / | ≥20 |
Polarisationsmodus Dispersion | PMD | PS | ≤0,15 | ≤0,15 | |
Temperaturabhängiger Verlust | -50 ~ + 85 °C | TDL | Db | ≤0,2 | ≤0,2 |
Wellenlänge thermische Stabilität | WTS | Nm/°C | ≤0,012 | / | |
Kanal-Pitch | ähm | 500 | 250 | ||
Eingangs-/Ausgangsseite | Identische Seite | Gegenseite | |||
Chip-Größe | Max. Größe | Mm | ≤7,6*4,0 | ≤10.2*1.6 | |
Chip-Höhe | Mm | ≤1,3 | ≤1,0 | ||
Betriebstemperatur | °C | -5 ~ + 80 | |||
Lagertemperatur | °C | -40~+85 | |||

Genügend Arbeitsbandbreite

Biegeradius ist sehr gering

Beste Kanalkonsistenz
Detaillierte Strukturzeichnung:


Wird hauptsächlich im Sender und Empfänger des optischen Moduls verwendet, weit verbreitet in 40G, 100G High aktives optisches Modul für optisches Signalmultiplexing und Demultiplexing.

QSFP+

QSFP28
In einem optischen CWDM4-Transceivermodul werden zwei CWDM4-AWG-Chips benötigt, einer zum Multiplexen und Senden optischer Signale und der andere zum Demultiplexen und Empfangen optischer Signale. Am Sender nimmt der CWDM4 AWG-Chip hauptsächlich eine einseitige Ein- / Ausgangsstruktur an, aber am Empfänger werden die demultiplexten Wellenlängen vom Photodetektor erkannt, ohne an die Singlemode-Faser zu koppeln.

4 WDM-Produktionslinien

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Artikel | Zustands-/Messmethode | Symbol | Einheit | Art | |
| Mux | Demux | ||||
Kanal | CH | 4 | |||
Abstand | Spc | Nm | 20 | ||
CWL | 25°C@3dB Zentrum | λC | Nm | CH1:1271 | |
| CH2:1291 | |||||
| CH3:1311 | |||||
| CH4:1331 | |||||
CWL-Genauigkeit | 25°C@3dB Zentrum | △λC | Nm | ±1 | |
1dB Bandbreite | BW1dB | Nm | ≥12 | ≥12 | |
3dB Bandbreite | BW3dB | Nm | ≥15 | ≥15 | |
Kanal Unifomity | Alle Kanäle ILmax-ILmin | Einheit 1 | Db | ≤0,7 | |
Chip-Unifomity | Alle Chips ILmax-ILmin | Einheit 2 | Db | ≤2 | / |
Einfügedämpfung | @Passband±5nm;Inklusive PDL und Faserkopplung | IL | Db | 2 ~ 3,5 | ≤2,5 |
Polarisationsabhängiger Verlust | Passband±1nm | PDL | Db | ≤0,5 | |
Kräuseln | Passband±5nm | R | Db | ≤1,0 | |
Verlust der Rendite | RL | Db | ≥40 | ||
Isolation (benachbart) | Passband±6.5nm | ISO | Db | / | ≥20 |
Isolation (nicht benachbart) | Passband±6.5nm | ISO | Db | / | ≥20 |
Polarisationsmodus Dispersion | PMD | PS | ≤0,15 | ≤0,15 | |
Temperaturabhängiger Verlust | -50 ~ + 85 °C | TDL | Db | ≤0,2 | ≤0,2 |
Wellenlänge thermische Stabilität | WTS | Nm/°C | ≤0,012 | / | |
Kanal-Pitch | ähm | 500 | 250 | ||
Eingangs-/Ausgangsseite | Identische Seite | Gegenseite | |||
Chip-Größe | Max. Größe | Mm | ≤7,6*4,0 | ≤10.2*1.6 | |
Chip-Höhe | Mm | ≤1,3 | ≤1,0 | ||
Betriebstemperatur | °C | -5 ~ + 80 | |||
Lagertemperatur | °C | -40~+85 | |||




